Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd. je eden najbolj izkušenih proizvajalcev in dobaviteljev prahu silicijevega karbida cas 409-21-2 na Kitajskem. Dobrodošli v veleprodajni prodaji visokokakovostnega silicijevega karbida v prahu cas 409-21-2 v razsutem stanju iz naše tovarne. Na voljo sta dobra storitev in razumna cena.
Silicijev karbid v prahuje anorganska snov s kemijsko formulo SiC, CAS 409-21-2. Izdelan je z visokotemperaturnim taljenjem surovin, kot so kremenčev pesek, naftni koks (ali premogov koks) in žagovina (pri proizvodnji zelenega silicijevega karbida je treba dodati sol) skozi uporovno peč. Je polprevodnik, ki obstaja v obliki izjemno redkega minerala moissanita v naravi. Od leta 1893 se proizvaja v velikem obsegu v obliki praškov in kristalov, uporablja se kot abrazivi itd. Med neoksidnimi visokotehnološkimi ognjevarnimi materiali, kot so C, N in B, je najbolj razširjen in ekonomičen, ki ga lahko imenujemo jekleni pesek ali ognjevarni pesek. Izdelek, ki ga proizvaja kitajska industrija, je razdeljen na dve vrsti: črni silicijev karbid in zeleni silicijev karbid, ki sta oba šesterokotna kristala.
|
|
|
|
Kemijska formula |
C40H68Si |
|
Natančna masa |
577 |
|
Molekulska teža |
577 |
|
m/z |
577 (100.0%), 578 (43.3%), 579 (9.1%), 578 (5.1%), 579 (3.3%), 579 (2.2%), 580 (1.4%) |
|
Elementarna analiza |
C 83,26; H 11,88; Si, 4,87 |
SiC je tipičen binarni sestavljeni polprevodniški material, katerega osnovna enota kristalne strukture je štirikratni simetrični tetraeder, in sicer SiC4 ali CSi4. Razdalja med sosednjimi atomi Si ali C je 3,08 Å, medtem ko je razdalja med sosednjimi atomi C in Si le približno 1 Å 89 Å. [13] V kristalih SiC atomi Si in C tvorijo zelo močne tetraedrične kovalentne vezi (energija vezi 4,6 eV) z delitvijo elektronskih parov na sp3 hibridiziranih orbitalah.
|
|
|
Čisti silicijev karbid je brezbarven in prozoren kristal. Industrijski silicijev karbid je videti kot svetlo rumen, zelen, moder ali celo črn, odvisno od vrste in vsebnosti nečistoč, ki jih vsebuje, njegova prosojnost pa je odvisna od njegove čistosti. Kristalno strukturo silicijevega karbida delimo na heksagonalni ali romboedrični - SiC in kubični - SiC (znan kot kubični silicijev karbid). Zaradi različnih zaporedij zlaganja atomov ogljika in silicija v njegovi kristalni strukturi - SiC tvori veliko različnih različic in odkritih je bilo več kot 70. - SiC se preoblikuje v - SiC nad 2100 stopinjami . - SiC je najpogostejša kristalna oblika, medtem ko - SiC pripada kubičnemu kristalnemu sistemu, znanemu tudi kot kubični silicijev karbid. Do sedaj je bila komercialna uporaba - SiC razmeroma omejena, čeprav se lahko uporablja kot nosilec za heterogene katalizatorje zaradi njegove večje površine v primerjavi s - SiC. Metoda industrijske proizvodnje silicijevega karbida je prečiščevanje visoko{16}}kakovostnega kremenčevega peska in naftnega koksa v uporovni peči. Prečiščeni bloki silicijevega karbida se predelajo v izdelke različnih velikosti delcev z drobljenjem, kislo{18}}pranjem, magnetnim ločevanjem, presejanjem ali izbiro vode.
Silicijev karbid ima štiri glavna področja uporabe, in sicer: funkcionalna keramika, napredni ognjevzdržni materiali, abrazivi in metalurške surovine. Grobe materiale iz silicijevega karbida je že mogoče dobaviti v velikih količinah in jih ni mogoče šteti za visoko{1}}tehnološke izdelke, medtem ko je uporaba nanometrskihprah silicijevega karbidaz izjemno visoko tehnološko vsebnostjo kratkoročno ne morejo ustvariti ekonomije obsega.
Glavna uporaba: Uporablja se za žično rezanje 3-12-palčnega monokristalnega silicija, polikristalnega silicija, kalijevega arzenida, kremenčevih kristalov itd. Materiali za inženirsko obdelavo za solarno fotovoltaično industrijo, industrijo polprevodnikov in industrijo piezoelektričnih kristalov.
Uporablja se na področjih, kot so polprevodniki, strelovodi, komponente vezij, visoko{0}}temperaturne aplikacije, ultravijolični detektorji, konstrukcijski materiali, astronomija, kolutne zavore, sklopke, filtri za trdne delce, fini žični pirometri, keramične folije, orodja za rezanje, grelni elementi, jedrska goriva, nakit, jeklo, zaščitna oprema, nosilci katalizatorjev itd.
Brusilna in brusilna orodja:
Uporablja se predvsem za brušenje in poliranje brusov, brusnih papirjev, peskovnih trakov, oljnih kamnov, brusilnih blokov, brusilnih glav, brusilnih past, kot tudi monokristalnega silicija, polikristalnega silicija in piezoelektričnih kristalov v elektronski industriji za fotovoltaične izdelke.
Kemična industrija:
Lahko se uporablja kot dezoksidant za proizvodnjo jekla in modifikator za strukturo litega železa. Lahko se uporablja tudi kot surovina za proizvodnjo silicijevega tetraklorida in je glavna surovina za industrijo silikonskih smol.
Dezoksidant iz silicijevega karbida je nova vrsta močnega kompozitnega dezoksidanta, ki nadomešča tradicionalni silicijev prah in ogljikov prah za dezoksidacijo. V primerjavi s prvotnim postopkom ima stabilnejše fizikalne in kemijske lastnosti, dober učinek dezoksidacije, skrajšan čas dezoksidacije, prihranek energije, izboljšano učinkovitost izdelave jekla, izboljšano kakovost jekla, zmanjšano porabo surovin in pomožnih materialov, zmanjšano onesnaževanje okolja, izboljšane delovne pogoje in povečane celovite gospodarske koristi električnih peči, kar ima vse pomembno vrednost.
Toplotno prevodni material:
Na toplotno prevodnost SiC materialov, kot na večino dielektričnih trdnih snovi, vpliva predvsem prenos termoelastičnih valov (znanih kot fononi). Toplotna prevodnost SiC materialov je v glavnem odvisna od: 1) količine sintrnih sredstev, stehiometričnega razmerja, kemijskih lastnosti in s tem povezane debeline in kristaliničnosti meja zrn; 2) velikost zrn; 3) Vrste in koncentracije primesnih atomov v kristalih SiC; 4) atmosfera sintranja; 5) Toplotna obdelava po sintranju itd.
SiC ima odlične lastnosti, kot so visoka toplotna prevodnost, širok pas, visoka stopnja migracije nasičenosti elektronov in visoko kritično prebojno električno polje.
Njegova izjemna celovita zmogljivost nadomešča pomanjkljivosti tradicionalnih polprevodniških materialov in naprav v praktičnih aplikacijah in ima široke možnosti uporabe na področjih, kot so električna vozila in mobilni komunikacijski čipi. Zaradi večje zanesljivosti, višje delovne temperature, manjše velikosti in višje napetostne tolerance se lahko SiC uporablja za napajalne naprave, kot so glavne pogonske plošče, avtomobilski polnilniki in napajalni moduli, kar močno izboljša učinkovitost in poveča doseg električnih vozil. Hkrati ima SiC dobro toplotno prevodnost in uporaba polprevodniških močnostnih naprav SiC lahko zmanjša velikost baterije in učinkoviteje pretvori energijo, s čimer se zmanjšajo stroški naprav za sestavljanje. Keramika SiC ima kot -visoko zmogljiv strukturni keramični material odlične toplotne lastnosti in se lahko široko uporablja v industriji odpornosti na visoke temperature, ogrevanja in izmenjave toplote.
Trije odporni materiali:
Z uporabo značilnosti odpornosti proti koroziji, odpornosti na visoke temperature, visoke trdnosti, dobre toplotne prevodnosti in odpornosti na udarce silicijevega karbida se lahko uporablja za različne obloge talilnih peči, komponente visoko-temperaturnih peči, plošče iz silicijevega karbida, obloge, nosilce, lonce, lončke iz silicijevega karbida itd.
Po drugi strani pa se lahko visokotemperaturni posredni segrevalni materiali uporabljajo v-industriji taljenja neželeznih kovin, kot so navpične destilacijske peči, pladnji destilacijskih peči, posode za elektrolizo aluminija, obloge peči za taljenje bakra, obločne plošče za peči za cinkov prah, zaščitne cevi za termoelemente itd.; Uporablja se za izdelavo naprednih keramičnih materialov iz silicijevega karbida, ki so-odporni na obrabo, korozijo-in visoko-temperaturo; Uporablja se lahko tudi za izdelavo raketnih šob, lopatic plinskih turbin itd. Poleg tega je silicijev karbid tudi eden od idealnih materialov za solarne grelnike vode na avtocestah, letalskih stezah itd.
Jeklo:
Z uporabo značilnosti odpornosti proti koroziji, odpornosti proti toplotnim udarcem, odpornosti proti obrabi in dobre toplotne prevodnosti silicijevega karbida je njegova uporaba v oblogah velikih plavžev izboljšala njegovo življenjsko dobo.
Metalurško bogatenje:
Silicijev karbid v prahuima drugo trdoto takoj za diamantom in ima visoko odpornost proti obrabi. Je idealen material za-odporne cevovode, impelerje, komore črpalk, ciklone in obloge rudarskih lijakov. Njegova odpornost proti obrabi je 5-20-krat daljša kot pri litem železu in gumi, poleg tega pa je eden izmed idealnih materialov za letalske steze.
Varčevanje z energijo:
Z uporabo dobre toplotne prevodnosti in stabilnosti kot toplotnega izmenjevalnika se poraba goriva zmanjša za 20 %, prihrani gorivo za 35 %, produktivnost pa se poveča za 20-30 %.
Velikost in sestava abrazivnih delcev morata biti v skladu z GB/T2477-83. Metoda za določanje sestave velikosti delcev abrazivov mora biti v skladu z GB/T2481-83.
Nakit:
Sintetični moissanit, znan tudi kot sintetični moissanit ali sintetični ogljikov silicijev dioksid (kemijska sestava SiC), ima disperzijo 0,104, kar je več kot diamant (0,044) in lomni količnik 2,65–2,69 (2,42 za diamant). Ima enak diamantni lesk kot diamant in močnejšo "ognjeno barvo", bližje diamantu kot katera koli prejšnja replika.
Zgodovina razvojaprah silicijevega karbidakristalnih materialov je že več kot sto let. Leta 1892 je Acheson izumil metodo za sintezo prahu SiC z uporabo silicijevega dioksida in ogljika. Pri tej metodi je bil odkrit stranski produkt, ki je bil list-podoben SiC material. Vendar pa so bili ti ploščati -podobni SiC materiali nizke čistosti in majhne velikosti ter jih ni bilo mogoče uporabiti za pripravo polprevodniških naprav. Do leta 1955 je Lel uspešno gojil relativno čiste kristale SiC s tehnologijo sublimacije, znano tudi kot metoda Lely. Vendar pa zaradi majhnosti in znatnih razlik v zmogljivosti pločevinastih materialov SiC, pripravljenih po metodi Lely, ne more postati komercialna tehnologija za gojenje monokristalov SiC.
V obdobju 1978-1981 sta Tarov in Tsvetkov izvedla izboljšave na podlagi metode Lely z uvedbo kalitvenega kristala v sublimacijsko peč in načrtovanjem ustreznega temperaturnega gradienta na podlagi termodinamičnih in kinetičnih premislekov za nadzor transporta materiala od vira SiC do kalibracijskega kristala. Ta proces rasti se imenuje izboljšana Lelyjeva metoda, znana tudi kot sublimacijska metoda začetnega kristala ali metoda fizičnega prenosa hlapov (PVT). Ljudje lahko s to metodo pridobijo kristale SiC z večjimi premeri in manjšo gostoto napak. Z nenehnim izboljševanjem tehnologije rasti so podjetja, ki so dosegla industrializacijo s to metodo, med drugim Cree iz ZDA Dowcorning, SiCrystal iz Nemčije, Nippon Steel iz Japonske ter Shandong Tianyue in Tianke Heda iz Kitajske.
Silicijev karbid je zaradi nizke naravne vsebnosti večinoma umeten. Običajna metoda je, da zmešate kremenčev pesek s koksom, uporabite silicijev dioksid in naftni koks v njem, dodate sol in žagovino, postavite v električno peč, segrejete na visoko temperaturo okoli 2000 stopinj C in z različnimi kemičnimi postopki pridobite mikroprah silicijevega karbida.
Silicijev karbid (SiC) je zaradi svoje visoke trdote postal pomemben abraziv, vendar obseg njegove uporabe presega obseg splošnih abrazivov. Na primer, zaradi njegove visoke temperaturne odpornosti in toplotne prevodnosti je eden od prednostnih materialov za tunelske peči ali izmenične peči, zaradi svoje prevodnosti pa je pomemben električni grelni element.
Prvi korak pri pripravi izdelkov iz SiC je priprava blokov za taljenje SiC, znanih tudi kot delci SiC. Zaradi prisotnosti C in supertrdih so se delci SiC nekoč imenovali diamantni pesek. Vendar je treba upoštevati, da je njegova sestava drugačna od naravnega diamantnega peska (kamen granatnega jabolka). V industrijski proizvodnji so talilni bloki SiC običajno izdelani iz surovin, kot sta kremen in petrolkoks, s pomožnimi materiali za predelavo in odpadnimi materiali. Po mletju in drugih postopkih se zmešajo v materiale za peč v razumnih razmerjih in z ustrezno velikostjo delcev (za prilagoditev prepustnosti materialov za peč je treba dodati ustrezno količino žagovine, pri pripravi zelenega silicijevega karbida pa ustrezno količino soli) in pripravijo pri visokih temperaturah.
Termična oprema za visoko{0}}temperaturno pripravo talilnih blokov SiC je specializirana električna peč iz silicijevega karbida, ki je sestavljena iz dna peči, končnih sten z elektrodami, vdelanimi na notranjo površino, snemljivih stranskih sten in telesa jedra peči (polno ime: električno nabit grelni element v središču električne peči, običajno nameščen v središču materiala peči z grafitnim prahom ali naftnim koksom v določeni obliki in velikosti, na splošno okrogle ali pravokotne. Njegova dva konca sta povezana z elektrodami). Metoda žganja, uporabljena v tej električni peči, je splošno znana kot vkopano žganje prahu. Takoj ko je vklopljen, se začne ogrevanje. Temperatura jedra peči je približno 2500 stopinj ali celo več (2600-2700 stopinj).
Ko polnitev peči doseže 1450 stopinj, se začne sinteza SiC (vendar se SiC večinoma tvori pri večji ali enaki 1800 stopinjah) in CO se sprosti. Ko pa je temperatura višja ali enaka 2600 stopinj, bo SiC razpadel in razpadli Si bo reagiral s C v polnitvi peči, da bo nastal SiC. Vsaka skupina električnih peči je opremljena s kompletom transformatorjev, vendar se med proizvodnjo napaja le ena električna peč, da se napetost prilagodi glede na značilnosti električnega bremena in tako vzdržuje načeloma konstantno moč. Električne peči visoke moči je treba segrevati približno 24 ur, po izpadu električne energije pa je reakcija za ustvarjanje SiC v bistvu končana. Po obdobju ohlajanja lahko stranske stene odstranite in nato postopoma odstranite materiale peči.
Po kalcinaciji pri visoki{0}}temperaturi so materiali peči od zunaj navznoter naslednji:
Nereagiran material (služi kot izolacija v peči), kisikov silicijev karbid (polreaktiven material, v glavnem sestavljen iz C in SiO), vezni sloj (tesno povezan sloj materiala, v glavnem sestavljen iz C, SiO2, 40 %~60 % SiC in karbonatov Fe, Al, Ca, Mg), amorfna plast (v glavnem sestavljena iz 70 % ~ 90 % SiC, ki je kubični SiC ali - SiC, preostanek pa so karbonati C, SiO2, Fe, A1, Ca, Mg) in sloj SiC druge stopnje (v glavnem sestavljen iz 90 % ~ 95 % SiC, ki je oblikoval heksagonalni SiC, vendar so kristali majhni in krhki). Ni ga mogoče uporabiti kot abraziv), prvi razred SiC (vsebnost SiC<96%, and it is a coarse crystal of hexagonal SiC or α - SiC), and furnace core graphite.
V zgoraj-omenjenih plasteh materialov se nereagirani materiali in del materialov plasti kisikovega silicijevega karbida običajno zbirajo kot izrabljeni materiali, medtem ko se drugi del materialov plasti kisikovega silicijevega karbida zbira skupaj z amorfnimi materiali, sekundarnimi izdelki in nekaterimi veznimi materiali kot reciklirani materiali. Nekateri lepilni materiali, ki so tesno povezani, imajo velike bloke in vsebujejo veliko nečistoč, se zavržejo. Izdelki prvega razreda so podvrženi razvrščanju, grobemu drobljenju, finemu drobljenju, kemični obdelavi, sušenju in presejanju ter magnetni ločitvi, da postanejo črni ali zeleni delci SiC različnih velikosti delcev. Za proizvodnjo mikro prahu silicijevega karbida,prah silicijevega karbidaprav tako mora iti skozi postopek izbire vode; Za izdelavo izdelkov iz silicijevega karbida morajo iti tudi skozi postopke oblikovanja in sintranja.
Pogosto zastavljena vprašanja
Za kaj se uporablja silicijev karbid?
+
-
V preteklosti so proizvajalci uporabljali silicijev karbid pri visoko-temperaturnih nastavitvah za naprave, kot so ležaji, komponente ogrevalnih strojev, avtomobilske zavore in celo orodja za ostrenje nožev. V elektroniki in polprevodniških aplikacijah so glavne prednosti SiC-ja: visoka toplotna prevodnost 120-270 W/mK.
Ali se je varno dotikati silicijevega karbida?
+
-
* Silicijev karbid lahko ob stiku draži oči in nos. * Obstaja malo dokazov, da silicijev karbid povzroča raka pri živalih. Lahko povzroči raka na pljučih. * Mnogi znanstveniki verjamejo, da ni varne ravni izpostavljenosti rakotvornim snovem.
Zakaj je silicijev karbid tako drag?
+
-
V redu, zakaj je rezina iz silicijevega karbida tako draga? Večinoma gre za štiri velike stvari. Grafit, material, ki drži vse skupaj v kristalu Furness seed, DNK naknadne obdelave rezin, vse rezanje, poliranje in čiščenje, ki spremeni surov kristal v nekaj uporabnega.
Priljubljena oznake: silicijev karbid v prahu cas 409-21-2, dobavitelji, proizvajalci, tovarna, veleprodaja, nakup, cena, razsuto, za prodajo